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非隔离降压式LED驱动器电源
2011-08-27 14:58:38  

    LED的驱动方式和传统的卤素灯,荧光灯不同,需要保持恒定电流驱动,所以需要专门的驱动电。作为通用照明,由于多数为高压市电输进,输出有SELV(安全特低电压),所以多采用降压结构,Buck拓扑结构具有结构简单,效率高,电流纹波小等特点,常被采用。PT4207正是基于Buck拓扑结构设计的一款LED驱动芯片。

  PT4207芯片结构特点

  PT4207采用革新的架构,可系统在交流输进整流后,8V到450V的直流电压下可靠工作,内置350mA/20V的MOSFET,可提供350mA的LED输出电流,另外配备外部MOSFET开关驱动端口,可实现高达1A的LED输出电流并稳定工作。系统效率可达96%,led电流精度可达±5%(包含输进电压调整率和元器件差异)。通过多功能调光DIM管脚,可使用电阻或直流电压进行线性调节LED电流,也可以采用数字脉冲信号就选PWM调光。此外,该芯片还具有软启能,负载短和过温功能。PT4207的内部结构框图如图1所示。

  图1PT4207内部结构框图

  恒流工作原理:PT4207采用固定关断时间模式控制输出电流。内部MOSFET后,电流流经负载,电感,MOSFET和采样电阻,随时间线性攀升,在CS管脚产生电压,当该电压到达内部基准值后,芯片内部控制电关断MOSFET,进进关断周期。关断时间通过外部电阻设定,是固定不变的,经过后,MOSFET重新打开,进进下一个工作周期。Buck结构的方式如图2。

  图2Buck结构的两种形式

  在MOSFET关断周期,电感L中的能量通过续流二极管D开释到负载LED中,形成回,如图3。www.ledlongtech.com

  图3Buck结构关断周期电流回

  由电感公式可得

  其中VL是电感两端电压,L是电感量,Toff是可设置的固定关断时间,ΔIL是电感中变化的电流量。

  图4CCM下电感电流波形

  假如系统工作在CCM(连续工作模式),电感中电流波形如图4。其中ILED为LED均匀电流,IPEAK为电感中峰值电流即通过MOSFET或续流二极管的峰值电流,得到ILED=IPEAK-0.5ΔIL,代进电感公式,得出

  IPEAK可通过采样电阻设定。所以,一旦输出LED方案确定,输出电流与输进电压无关,从而实现led恒流控制。

  短原理:芯片对CS管脚电压在每个开通周期进行检测,一旦检测到CS电压上升过快芯片会关断MOSFET,过一段时间再打开,从而实现短。

  过温原理:芯片内置过热功能,当芯片结温超过135℃时将自动降低输出电流以温度进一步上升,假如温度超过150℃,输出电流降为0,在有效芯片的同时避免闪烁题目。如需对LED进行过温,可在DIM管脚和GND管脚间接负温度系数热敏电阻,当温度升高时,DIM电压会下降,同时降低内部CS管脚基准电压甚至关断,从而实现过温功能。

  软启能:芯片内置4ms的软启动时间,启动时逐步增加电流,使负载电流逐渐达到设定值,有效减小启动浪涌电流。

  图5PT4207典型应用电(输出:24串LED阵列,250mA)(print)

  图6PT4207典型应用电的效率和恒流特性

  图7PT4207大电流应用(输出12串LED阵列,1000mA)

  图5是PT4207的典型应用电。PT4207典型应用电的效率和恒流特性如图6所示。PT4207其他应用方案如图7、图8所示。其中,图7是PT4207的大电流应用(输出12串LED阵列,1000mA);图8是PT4207直流低压应用(输出1颗3WLED,700mA)。

  图8PT4207直流低压应用(输出1颗3WLED,700mA)

  系统参数设计

  参考图5典型应用电。输出电流的确定:可依据公式

  选取合适的R4,R5,R6和L,具体计算步骤可参考PT4207数据表。

  输进电容选择:输进电容为系统提供稳定的供电电压,可根据输出功率,电容量按1-2uF/W选择。照明应用都是在高温中,所以电容耐温在105℃以上。

  MOSFET选择:漏-源极耐压Vds根据实际输进情况选择,漏极电流Id选择4倍以上的ILED。

  输出电容选择:与LED并联的电容可以吸收LED纹波电流。理想情况下,电感纹波电流完全被输出电容吸收,一定程度上延长LED寿命。通常选择1-10uF。

  续流二极管选择:选择肖特基二极管或超快速恢复二极管,反向恢复时间Trr小于100ns,电流能力应大于IPEAK。

  led日光灯外壳电感选择:可选择工字电感或闭合磁的变压器电感。工字电感一般价格低廉,工艺简单,但磁,在金属密闭空间内轻易造成磁力线缺失而使系统工作异常,所以一般用于非金属外壳的灯具中。无论采用哪种电感,电感的饱和电流要求大于1.2倍的ILED,磁芯材料的居里温度大于150℃。

  Layout设计要点

  参考图5典型应用电。其中,滤波电容C3,C4,C5,以及电阻R4应尽量靠近芯片管脚。输进电容C1,负载,电感L4,MOSFET,芯片S管脚,采样电阻R5,R6是大电流径,走线尽量粗短,所包围的面积尽量小。采样电阻R5,R6所连接的是高频大电流地,属于干扰源,应通过最短的径连接到输进滤波电容C1负极。芯片第3脚,以及C3,C4,C5,R4的地需要稳定的基准地,可以从C1单独引出。

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